POWEREX混合IGBT模塊QID1210006

Powerex 繼續(xù)使用新的功率半導(dǎo)體技術(shù)碳化硅 (SiC) 擴展我們的產(chǎn)品供應(yīng)。在需要低損耗、高頻開關(guān)和/或高溫環(huán)境的電源應(yīng)用中，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，SiC 具有顯著優(yōu)勢。該產(chǎn)品線包括SiC（碳化硅）MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）模塊以及混合 Si/SiC（Si IGBT/SiC SBD）模塊。

• 低 ESW（關(guān)閉）
• 氮化鋁隔離
• 分立式超快恢復(fù)飛輪碳化硅肖特基二極管
• 低內(nèi)部電感
• 每個模塊 2 個獨立開關(guān)
• 隔離底板，便于散熱
• AlSiC 基板
• 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

節(jié)能電源系統(tǒng)，例如：風(fēng)扇；泵；消費電器

高頻型電力系統(tǒng)，例如：UPS； 高速電機驅(qū)動器；感應(yīng)加熱；焊機; 機器人技術(shù)

高溫電力系統(tǒng)，例如：電動汽車和航空系統(tǒng)中的電力電子