KEMET陶瓷堆疊電容L1GN70G473KA10

KEMET 電源解決方案 - 低損耗 (KPS MCL) 高溫 SMPS 陶瓷堆疊電容器將堅固且專有的 C0G/NPO 賤金屬電極 (BME) 介電系統與耐用的引線框架技術相結合，適用于高溫和高功率 SMPS 應用。 這些設備專為滿足惡劣工業環境的需求而設計，例如井下石油勘探和汽車/航空電子發動機艙電路。

KPS-MCL 由大型芯片多層陶瓷電容器 (MLCC) 構成，垂直堆疊并使用高熔點 (HMP) 焊料合金固定到引線框架終端系統。在引線框架中垂直堆疊電容器可實現更低的 ESR（低損耗）和熱阻，從而轉化為非常高的紋波電流能力。引線框架將 MLCC 與印刷電路板 (PCB) 隔離，同時建立并聯電路配置。

將電容器與 PCB 機械隔離可提高機械和熱應力性能，而并聯電路配置允許在相同或更小的設計占位面積中使用大容量電容。

KEMET 的高溫 C0G 電容器具有溫度補償功能，非常適合諧振電路應用，或需要 Q 和電容特性穩定性的應用。它們的電容隨時間和電壓沒有變化，相對于環境溫度，電容的變化可以忽略不計。從 -55°C 到 +200°C，電容變化限制在 ±30 ppm/ºC。此外，這些電容器在高達 +200°C 的高溫下表現出高絕緣電阻和低損耗因數。它們還在高頻下表現出低 ESR，并提供比競爭性高溫 BME 陶瓷電容器器件更高的容積效率。

• 低損耗
• 低 ESR 和 ESL
• 高熱穩定性
• 高紋波電流能力
• 用于“通孔”安裝的直針引線
• 形成“J”和“L”引線用于表面安裝
• 工作溫度范圍為 −55°C 至 +200°C
• 案例代碼（案例尺寸） – 69 (2220) 和 70 (2225)
• 直流電壓額定值為 200 – 2,000 V
• 電容產品范圍為 11 nF – 1.2 µF
• 工業級
• 占用空間更小的高頻性能和大容量電容

1.DWV 是電容器在短時間內可以承受的電壓。 它超過了電容器的標稱和連續工作電壓。

2.在以下條件下測量的電容和損耗因數 (DF)：

如果電容 ≤ 1,000 pF，則為 1 MHz ±100 kHz 和 1.0 ±0.2 Vrms。

如果電容 > 1,000 pF，則為 1 kHz ±50 Hz 和 1.0 ±0.2 Vrms。

3.要獲得 IR 限制，請將 MΩ - µF 值除以電容并與 GΩ 限制進行比較。選擇兩個限制中較低的一個。

注意：測量電容時，重要的是要確保設置的電壓電平保持恒定。 HP4284 和 Agilent E4980 具有稱為自動電平控制 (ALC) 的功能。ALC 功能應該切換到“ON”。

• 工業的
• 井下
• 國防和航空航天
• 混合動力和電動汽車（HEV、BEV）
• 開關電源
• 電源的輸入和輸出濾波，通常出現在“電容器組”上
• 緩沖電路和直流鏈路
• 諧振電路