KEMET陶瓷電容器C0201C120K3GACTU

KEMET 的 C0G 電介質具有高達125°C 的工作溫度，被認為是“穩定的”。

電子元件、組件和材料協會 (EIA) 將 C0G 電介質定性為 I 類材料。此類別的組件具有溫度補償功能，適用于諧振電路應用或需要 Q 和電容特性穩定性的應用。C0G 的電容相對于時間和電壓沒有變化，電容相對于環境溫度的變化可以忽略不計。從 -55°C 到 +125°C，電容變化限制在 ±30 ppm/ºC。

• −55°C 至 +125°C 工作溫度范圍
• 無鉛 (Pb)，符合 RoHS 和 REACH 標準
• EIA 0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220 和 2225 外殼尺寸
• 直流電壓額定值為 10 V、16 V、25 V、50 V、100 V、200 V 和250V
• 電容范圍從 0.5 pF 到 0.47 μF
• 可用電容容差為 ±0.10 pF、±0.25 pF、±0.5 pF、±1%、±2%、±5%、±10% 和 ±20%
• 無壓電噪聲
• 低的 ESR 和 ESL
• 高熱穩定性
• 高紋波電流能力
• 線路頻率和 MHz 范圍內的良好電容解決方案
• 相對于施加的額定直流電壓，電容沒有變化
• 相對于 -55°C 至 +125°C 的溫度，電容變化可忽略不計
• 無電容隨時間衰減
• 非極性裝置，較大限度地減少安裝問題
• 100% 純啞光鍍錫端接飾面，可提供良好的可焊性
• SnPb 鍍層端接選項可應要求提供（MIX. 5% Pb）

1.DWV 是電容器在短時間內可以承受（存活）的電壓。 它超過了電容器的標稱和連續工作電壓。

2.在以下條件下測得的電容和損耗因數 (DF)：

如果電容 ≤ 1,000 pF，1 MHz ±100 kHz 和 1.0 Vrms ±0.2 V ；

如果電容 > 1,000 pF，則為 1 kHz ±50 Hz 和 1.0 Vrms ±0.2 V。

3.要獲得 IR 限值，請將 MΩ-µF 值除以電容并與 GΩ 限值進行比較。 選擇兩個限制中較低的一個。

在以下條件下測量的電容和耗散因數 (DF)：

注意：測量電容時，確保設置的電壓水平保持恒定很重要。 HP4284 和 Agilent E4980 具有稱為自動電平控制 (ALC) 的功能。 ALC 功能應該切換到“ON”。

典型應用包括關鍵時序、調諧、需要低損耗的電路、脈沖電路、大電流、去耦、旁路、濾波、瞬態電壓阻抑、阻塞和能量存儲。