SEMIKRON整流器SKIIP 23NAB126V1

從 4A 到 1400A，電壓等級從 600V 到 1700V，IGBT 模塊可用于各種應用。這些模塊采用燒結、彈簧或壓入式觸點等關鍵技術，組裝快捷方便。可用的拓撲結構包括 CIB（轉換器逆變制動器）、半橋、H 橋、六組、3 電平等，涵蓋了各個應用領域。在這些拓撲結構中，新的 IGBT 芯片與 CAL 二極管技術相結合。新的7 代 IGBT 現(xiàn)已用于賽米控丹佛斯的功率模塊中。它們可提供更高的功率密度，尤其是在電機驅動和太陽能應用領域，樹立了新的標桿。

快速溝槽式 IGBT

穩(wěn)健的軟續(xù)流

采用 CAL 技術的二極管

用于電氣連接的高可靠性彈簧觸點

電氣連接

UL 認證文件編號 E63532

產地：德國

連接方式：電氣連接

逆變器功率：高達 16 千伏安

典型電機功率：7.5 千瓦

安裝扭矩：2至2.5 Nm

外殼（LL x BB x HH）：MiniSKiiP II 2（59 x 52 x 16）

V_CES：1200 V

I_CRM：25 A

技術：IGBT 3（溝槽）

重量：65 g

符合標準：E63532

電子、電力、通信、光纖行業(yè)